mosfet管价格NCE50N03K

　　NCE50N03K采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　vds=30V,ID=50A

　　RDS(ON)<8mΩ@VGS=10

　　RDS(ON)<12mΩ@VGS=5

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS值高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　引脚及封装：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：50

　　漏极电流连续(TC=100℃)：35

　　脉冲漏极电流：150A

　　最大功耗：58W

　　降额因子：0.39W/℃

　　单脉冲雪崩能量：90mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明):