低压MOS场效应管

低压MOS场效应管

　　NCE20P70G采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　VDS=-20V,ID=-70A

　　RDS(ON)<3mΩ@vg=-4.5v

　　RDS(ON)<4mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<8mΩ@vg=-1.8v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　负荷开关

　　电池保护

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-20v

　　栅源电压：±10v

　　漏电流连续：-70a

　　漏电流连续(TC=100℃)：-49.5A

　　脉冲漏电流：-280a

　　最大功耗：130w

　　降额因子：0.64W/℃

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

　　包装信息：