低压MOS场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

VIP会员11年

全部产品 进入商铺

低压MOS场效应管

  NCE20P70G采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。



  一般特征:

  VDS=-20V,ID=-70A

  RDS(ON)<3mΩ@vg=-4.5v

  RDS(ON)<4mΩ@vg=-2.5v

  RDS(ON)<8mΩ@vg=-1.8v

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  优异的散热包装



  应用程序:

  负荷开关

  电池保护



  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:-20v

  栅源电压:±10v

  漏电流连续:-70a

  漏电流连续(TC=100℃):-49.5A

  脉冲漏电流:-280a

  最大功耗:130w

  降额因子:0.64W/℃

  工作结和储存温度范围:-55~150℃



  包装信息:


型号/规格

NCE20P70G

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

DFN5x6 -8L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装