NCE20P70G新洁能低压P沟道MOS

　　NCE20P70G新洁能低压P沟道MOS采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　VDS=-20V,ID=-70A

　　RDS(ON)<3mΩ@vg=-4.5v

　　RDS(ON)<4mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<8mΩ@vg=-1.8v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　负荷开关

　　电池保护

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-20V

　　栅源电压：±10V

　　漏极电流连续：-70

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-49.5

　　脉冲漏极电流：-280

　　最大功耗：130W

　　降额因子：0.64W/℃

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。

　　主营各大品牌IC和二三极管，主要经销品牌TI/NS AD、ST/ON/NXP INFINEON、MAXIM IR/FSC/VISHAY、Panjit、ATMSEL STC/ISSI