mos管TO-252

　　NCE4080K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　mos管TO-252一般特征：

　　VDS=30v,ID=80

　　RDS(ON)<6.5mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<10mΩ@vg=5v

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　良好的散热包装

　　mos管TO-252应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：80A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：50A

　　脉冲漏极电流：170A

　　最大功耗：83W

　　降额因子：0.56W/℃

　　单脉冲雪崩能量：306mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：