NCE新洁能NCE30P60G mosfet供应商

　　一般特征：

　　VDS=-30v,ID=-60

　　RDS(ON)<6mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<8mΩ@vg=-4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　电池和负载开关

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-30v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：-60a

　　脉冲漏电流：-160a

　　最大功耗：70w

　　降额因素：0.56W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：400mj

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

　　测试电路: