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产品属性
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产品型号:NCE30P30K
商品目录:MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C时):30A
漏源电压(Vdss):30V
栅源极阈值电压:2.5V@250uA
漏源导通电阻:18mΩ@20A,10V
类型:P沟道
最大功率耗散(Ta):60W
一般特征:
VDS=-30V,ID=-30A
RDS(ON)<18mΩ@vg=-10v
RDS(ON)<30mΩ@vg=-4.5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好,均匀性好,EAS高
优异的散热包装
应用程序:
全桥变换器高侧开关
用于LCD显示的DC/DC转换器
封装展示:
绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):
漏源电压:-30V
栅源电压:±20V
漏极电流连续:-30
漏极电流连续(TC=100℃):-21.2
脉冲漏极电流:-70
最大功耗:60W
降额因子:0.4W/℃
单脉冲雪崩能量(注5):169mj
操作结和存储温度范围:-55-175℃
测试电路:
NCE30P30K
NCE新洁能
TO-252
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
P沟道