NCE30P30K供应商

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

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  产品型号:NCE30P30K

  商品目录:MOS(场效应管)

  连续漏极电流(Id)(25°C时):30A

  漏源电压(Vdss):30V

  栅源极阈值电压:2.5V@250uA

  漏源导通电阻:18mΩ@20A,10V

  类型:P沟道

  最大功率耗散(Ta):60W



  一般特征:

  VDS=-30V,ID=-30A

  RDS(ON)<18mΩ@vg=-10v

  RDS(ON)<30mΩ@vg=-4.5v

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  优异的散热包装



  应用程序:

  全桥变换器高侧开关

  用于LCD显示的DC/DC转换器



  封装展示:


  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:-30V

  栅源电压:±20V

  漏极电流连续:-30

  漏极电流连续(TC=100℃):-21.2

  脉冲漏极电流:-70

  最大功耗:60W

  降额因子:0.4W/℃

  单脉冲雪崩能量(注5):169mj

  操作结和存储温度范围:-55-175℃



  测试电路:

型号/规格

NCE30P30K

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

类型

P沟道