增强型MOS场效应管NCE40H12I

　　产品型号：NCE40H12I

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　Vds-漏源极击穿电压：40V

　　Id-连续漏极电流：120A

　　Pd-功率耗散：120W

　　Vgs-栅源极击穿电压：20V

　　RdsOn@10V-漏源导通电阻：3.6mΩ

　　RdsOn@4.5V-漏源导通电阻：5.8mΩ

　　封装：TO-251

　　增强型MOS场效应管NCE40H12I一般特征：

　　VDS=40V,ID=120A

　　RDS(ON)<4.5mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<7mΩ@vg=4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　增强型MOS场效应管NCE40H12I封装：

　　增强型MOS场效应管NCE40H12I应用领域：

　　负载开关

　　高频电路

　　持续电源供应

　　增强型MOS场效应管NCE40H12I测试电路: