效应晶体管P沟道增强型NCE60P50

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

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  NCE60P50采用先进的沟槽技术和设计,提供了极好的RDS(ON)与低栅电荷,该设备非常适合于高电流负载的应用。

  产品型号:NCE60P50

  产品种类:MOSFET

  漏源极击穿电压(最大):-60V

  连续漏极电流(最大):-50A

  功率耗散(最大):95W

  栅源极击穿电压:20V

  漏源导通电阻(典型值)(10V):23mΩ

  封装:TO-220



  应用领域:

  负荷开关



  一般特征:

  VDS=-60V,ID=-50A

  RDS(ON)<28mΩ@vg=-10v

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  优异的散热包装



  引脚展示:


  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:-60V

  栅源电压:±20V

  漏极电流连续:-50A

  漏极电流连续(TC=100℃):-35A

  脉冲漏极电流:-150A

  最大功耗:95W

  降额因子:0.76W/℃

  单脉冲雪崩能量(注5):722mj

  操作结和存储温度范围:-55-150℃

型号/规格

NCE60P50

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装