效应晶体管P沟道增强型NCE60P50

　　产品型号：NCE60P50

　　产品种类：MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：-60V

　　连续漏极电流（最大）：-50A

　　功率耗散（最大）：95W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：23mΩ

　　封装：TO-220

　　应用领域：

　　负荷开关

　　一般特征：

　　VDS=-60V,ID=-50A

　　RDS(ON)<28mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　引脚展示：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-60V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-50A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-35A

　　脉冲漏极电流：-150A

　　最大功耗：95W

　　降额因子：0.76W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：722mj

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃