mos管生产厂家

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

VIP会员11年

全部产品 进入商铺

  NCE01P18D采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。ESD提出抗议。



  一般特征:

  VDS=-100v,ID=-18

  RDS(ON)<100mΩ@vg=-10v(Typ:85mΩ)

  超高密度电池设计

  先进的挖沟工艺

  可靠和崎岖的

  高密度电池设计,超低导通电阻



  应用程序:

  笔记本电脑电源管理

  便携式设备和电池供电系统



  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:-100v

  栅源电压:±20v

  漏电流连续:-18a

  漏电流连续(TC=100℃):-12a

  脉冲漏电流:-72a

  最大功耗:70w

  降额因子:0.47W/℃

  工作结和储存温度范围:-55~175℃



  电气特性(TC=25℃,除非另有说明):

型号/规格

NCE01P18D

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-263-2L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装