mos管生产厂家

　　NCE01P18D采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。ESD提出抗议。

　　一般特征：

　　VDS=-100v,ID=-18

　　RDS(ON)<100mΩ@vg=-10v(Typ：85mΩ)

　　超高密度电池设计

　　先进的挖沟工艺

　　可靠和崎岖的

　　高密度电池设计，超低导通电阻

　　应用程序：

　　笔记本电脑电源管理

　　便携式设备和电池供电系统

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-100v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：-18a

　　漏电流连续(TC=100℃)：-12a

　　脉冲漏电流：-72a

　　最大功耗：70w

　　降额因子：0.47W/℃

　　工作结和储存温度范围：-55~175℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：