北京mos管NCE01H10

北京mos管NCE01H10

　　产品型号：NCE01H10

　　产品种类：MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：100V

　　连续漏极电流（最大）：100A

　　功率耗散（最大）：200W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：9.9mΩ

　　封装：TO-220

　　一般特征：

　　VDS=100V,ID=100A

　　RDS(ON)<13mΩ@vg=10v(Typ:9.9m?)

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　引脚图：

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：