NCE20P85G原装NCE新洁能

　　NCE20P85G采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　NCE20P85G一般特征：

　　VDS=-20v,ID=-85

　　RDS(ON)<2.5mΩ@vg=-4.5v

　　RDS(ON)<4mΩ@vg=-2.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　NCE20P85G应用程序:

　　负荷开关

　　电池保护

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-20V

　　栅源电压：±10V

　　漏极电流连续：-85

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-49.5

　　脉冲漏极电流：-340

　　最大功耗：135W

　　降额因子：1.08W/℃

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明）：