NCE40P06J型号

　  NCE40P06J一般特点：

　　VDS=-40V,ID=-6A

　　RDS(ON)<33mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<45mΩ@vg=-4.5v

　　先进的沟槽MOSFET工艺技术

　　极低导通电阻，低栅电荷

　　NCE40P06J应用程序：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　手机电池充电

　　NCE40P06J引脚说明：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-40V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：6

　　漏极电流脉冲(注1)：-38

　　最大功耗：2.1W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃