mosfet管型号NCE3400A

　　NCE3400A采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和低2.5V的栅电压操作。本设备适用于电池保护或其他开关应用。

　　mosfet管型号NCE3400A一般特征：

　　VDS=30V,ID=5.8A

　　RDS(ON)<55mΩ@vg=2.5v

　　RDS(ON)<42mΩ@vg=4.5v

　　RDS(ON)<40mΩ@vg=10v

　　高功率和电流处理能力

　　无铅产品获得

　　表面安装包

　　PWM程序

　　负荷开关

　　电源管理

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：5.8A

　　漏极电流脉冲(注1)：30A

　　最大功耗：1.4W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　mosfet管型号NCE3400A包装信息: