NCE60H15场效应晶体管原理

　　NCE60H15采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。

　　产品型号：NCE60H15

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：150A

　　漏源电压（Vdss）：60V

　　栅源极阈值电压：4V@250uA

　　漏源导通电阻：4.5mΩ@75A,10V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：220W

　　一般特征：

　　VDS=60V,ID=150A

　　RDS(ON)<4.5mΩ@vg=10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用领域：

　　电源开关的应用

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源供应

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：