NCE60H15场效应晶体管原理

地区:广东 深圳
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  NCE60H15采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。

  产品型号:NCE60H15

  商品目录:MOS(场效应管)

  连续漏极电流(Id)(25°C时):150A

  漏源电压(Vdss):60V

  栅源极阈值电压:4V@250uA

  漏源导通电阻:4.5mΩ@75A,10V

  类型:N沟道

  最大功率耗散(Ta):220W



  一般特征:

  VDS=60V,ID=150A

  RDS(ON)<4.5mΩ@vg=10v

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  优异的散热包装

  特殊工艺,具有高ESD能力



  应用领域:

  电源开关的应用

  硬开关和高频电路

  不间断电源供应



  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

型号/规格

NCE60H15

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-220-3L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装