超级结MOSFET NCE65T540D

　　超级结MOSFET NCE65T540D

　　该系列器件采用了先进的沟道栅超结技术和设计，以低栅荷提供优良的RDS(ON)。这种超级结MOSFET适合工业上对PFC、AC/DCpower转换和工业电源应用的AC-dcSMPS要求。

　　超级结MOSFET NCE65T540D特性:

　　高压器件新技术

　　低导通电阻，低导通损耗

　　小包装

　　极低的门电荷降低了驱动要求

　　100%雪崩测试

　　通过无铅认证

　　超级结MOSFET NCE65T540D应用程序:

　　功率因数校正(PFC)

　　开关电源(SMPS)

　　不间断电源(UPS)

　　绝对最大额定值(TC=25℃):

　　漏源电压(vg=0v):650v

　　栅源电压(VDS=0v)交流(f>1Hz):±30v

　　连续漏电流在Tc=25°C:8A

　　连续漏电流在Tc=100°C:5.2A

　　脉冲漏极电流:32A

　　最大功耗(Tc=25℃):69w

　　减免25°C以上:0.55w/°C

　　单脉冲雪崩能量:156mj

　　雪崩电流:1.7A

　　超级结MOSFET NCE65T540D热特性: