通用N沟道MOS管

　　通用N沟道MOS管NCE2060K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　产品型号：NCE2060K

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：20V

　　连续漏极电流（最大）：30A

　　功率耗散（最大）：40W

　　栅源极击穿电压：10V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：8mΩ

　　封装：TO252

　　典型应用电路图：

　　应用领域：

　　负载开关

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源供应

　　典型效率曲线：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：