P沟道增强型场效应晶体管

　　一般特征：

　　VDS=-150V，ID=-25A

　　RDS(ON)<135mΩ@VGS=-10V（Typ.=120mR）

　　RDS(ON)<160mΩ@VGS=-10V（Typ.=131mR）

　　超高密度电池设计

　　先进的挖沟工艺技术

　　可靠耐用

　　高密度电池设计，超低导通电阻

　　应用程序：

　　便携式设备和电池供电系统

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-150V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-25A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-17A

　　脉冲漏极电流：-100A

　　最大功耗：160W

　　降额因子：1.3W/℃

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：