mos场效应晶体管NCE2010E

　　mos场效应晶体管NCE2010E采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个负荷开关或PWM应用。它是ESD保护。

　　mos场效应晶体管NCE2010E参数：

　　产品型号：NCE2010E

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：20V

　　连续漏极电流（最大）：7A

　　功率耗散（最大）：1.5W

　　栅源极击穿电压：10V

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：15mΩ

　　封装：TSSOP8

　　mos场效应晶体管NCE2010E应用领域：

　　PWM应用

　　负荷开关

　　mos场效应晶体管NCE2010E效率曲线：

　　应用电路图:

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