大功率场效应晶体管NCE30H12

　　产品型号：NCE30H12

　　制造商：NCE新洁能

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：30V

　　连续漏极电流（最大）：120A

　　功率耗散（最大）：120W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：3mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：4.2mΩ

　　封装：TO220

　　大功率场效应晶体管NCE30H12一般特征：

　　VDS=30v,ID=120

　　RDS(ON)<3.5mΩ@vg=10v(Typ：3.0mΩ)

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　大功率场效应晶体管NCE30H12应用领域：

　　电源开关的应用

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源供应

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30v

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：120W

　　漏极电流连续(TC=100℃)：84

　　脉冲漏极电流：400

　　最大功耗：120W

　　单脉冲雪崩能量：350mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　誉辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队，长期关注电子产业的最新动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。