SOT-523增强型mosfet NCE1012E

　　增强型mosfetNCE1012E采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至1.8V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。

　　产品型号：NCE1012E

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：20V

　　连续漏极电流（最大）：0.6A

　　功率耗散（最大）:1W

　　栅源极击穿电压:10V

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V):210mΩ

　　封装：SOT-523

　　一般特征:

　　VDS=20V,ID=0.6A

　　RDS(ON)<350mΩ@vg=4.5v

　　RDS(ON)<500mΩ@vg=2.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　门源ESD保护

　　引脚图:

　　应用领域:

　　电池供电系统

　　负载/功率开关手机呼机

　　电源转换器电路

　　典型效率曲线: