陕西场效应管NCE40P70K

　　场效应管NCE40P70K采用先进的沟槽技术和设计提供优良的RDS(ON)与低门电荷该设备非常适合于高电流负载的应用。

　  场效应管NCE40P70K特征：

　　VDS=-40v,ID=-70

　　RDS(ON)<10mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　场效应管NCE40P70K参数：

　　产品型号：NCE40P70K

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：70A

　　漏源电压（Vdss）：40V

　　栅源极阈值电压：2.5V@250uA

　　漏源导通电阻：10mΩ@20A,10V

　　类型：P沟道

　　最大功率耗散（Ta）：130W

　　应用程序：

　　电源开关

　　高电流应用中的负载开关

　　DC/DC转换器

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：