NCE30P25S新洁能mos管

　　产品型号：NCE30P25S

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：25A

　　漏源电压（Vdss）：30V

　　栅源极阈值电压：2.5V@250uA

　　漏源导通电阻：9mΩ@15A,10V

　　类型：P沟道

　　最大功率耗散（Ta）：3.5W

　　一般特征：

　　VDS=-30V,ID=-25A

　　RDS(ON)<9mΩ@vg=-10v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　电源管理

　　负荷开关

　　NCE30P25S封装：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-25

　　漏极电流脉冲(注1)：-70A

　　最大功耗：3.5W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃