主板场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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  产品型号:NCE40H12K

  商品目录:MOS(场效应管)

  连续漏极电流(Id)(25°C时):120A(Tc)

  漏源电压(Vdss):40V

  栅源极阈值电压:2.5V@250uA

  漏源导通电阻:4mΩ@20A,10V

  类型:N沟道

  最大功率耗散(Ta):120W(Tc)



  一般特点:

  VDS=40v,ID=120

  RDS(ON)<4.0mΩ@vg=10v

  RDS(ON)<7mΩ@vg=4.5v

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  优异的散热包装

  特殊工艺,具有高ESD能力



  应用程序:

  负荷开关

  硬开关高频电路

  不间断电源



  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:40V

  栅源电压:±20V

  漏极电流连续:120A

  漏极电流连续(TC=100℃):85A

  脉冲漏极电流:330A

  最大功耗:120W

  降额因子:0.8W/℃

  单脉冲雪崩能量:1080mJ

  操作结和存储温度范围:-55-175℃



  产品封装:

型号/规格

NCE40H12K

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-252-2L top view

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装