NCE7190H mos管原理

　　NCE7190A采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的rds(ON)。该装置适用于PWM、负载开关和一般应用场合。

　　一般特征：

　　vds=71V,ID=90A

　　RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=10V(Typ：4.8mΩ)

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　专门为转换器和功率控制而设计

　　稳定性好，均匀性好，EAS值高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：71V

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：90a

　　漏电流连续(TC=100℃)：63A

　　脉冲漏电流：320a

　　最大功耗：170w

　　降额因子：1.13W/℃

　　单脉冲雪崩能量：812mj

　　工作结和储存温度范围：-55~175℃

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