NCE6020K贴片场效应管封装TO252

　　产品型号：NCE6020K

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：60V

　　连续漏极电流（最大）：20A

　　功率耗散（最大）：30W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：37mΩ

　　封装：TO252

　　一般特征：

　　VDS=60V,ID=20A

　　RDS(ON)<45mΩ@vg=10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　应用电路图：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：60V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：20A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：14A

　　脉冲漏极电流：60A

　　最大功耗：40W

　　降额因子：0.27W/℃

　　单脉冲雪崩能量：72mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

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