NCE40P13S p沟道场效应管价格

　　NCE40P13S采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　NCE40P13S p沟道场效应管一般特征：

　　VDS=-40V,ID=-13A

　　RDS(ON)<15mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<18mΩ@vg=-4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　优异的散热包装

　　NCE40P13S p沟道场效应管参数：

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：P沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：-40V

　　连续漏极电流（最大）：-13A

　　功率耗散（最大）：3W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：12mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：15mΩ

　　封装：SOP-8

　　NCE40P13S p沟道场效应管应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　直流-直流转换器

　　NCE40P13S p沟道场效应管引脚功能：

　　NCE40P13S p沟道场效应管应用电路图：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-40V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-13A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：9A

　　脉冲漏极电流：50A

　　最大功耗：2.5W

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

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