高压mosfet型号NCE60P04Y

　　高压mosfet型号NCE60P04Y采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低栅电荷。

　　一般特征：

　　VDS=-60V,ID=-4A

　　RDS(ON)<120mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<170mΩ@vg=-4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　负荷开关

　　PWM程序

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-60v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：-4a

　　脉冲漏电流：-12a

　　最大功耗：5W

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃