功率MOS管NCE20H18

　　功率MOSFET是一款常用器件，有两种类型：N沟道和P沟道，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。

　　功率MOS管NCE20H18参数：

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：20V

　　连续漏极电流（最大）：185A

　　功率耗散（最大）：130W

　　栅源极击穿电压：12V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：1.4mΩ

　　封装：TO220

　　引脚图/引脚功能:

　　应用领域:

　　电源开关的应用

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源供应

　　誉辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队，长期关注电子产业的最新动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。