p场效应管型号NCE60P10K

　　p场效应管型号NCE60P10K采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低栅电荷。

　　一般特征：

　　VDS=-60v,ID=-10

　　RDS(ON)<120mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<170mΩ@vg=-4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　负荷开关

　　PWM程序

　　绝对最大额定参数(TC=25℃除非另有注明)：

　　漏源电压：-60V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-10A

　　脉冲漏极电流：-40A

　　最大功耗：45W

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明):