普通高压MOS器件NCE6990

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

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  产品型号:NCE6990

  品牌:NCE新洁能

  产品种类:MOSFET

  产品特性:N沟道增强型功率MOSFET

  漏源极击穿电压(最大):69V

  连续漏极电流(最大):90A

  功率耗散(最大):160W

  栅源极击穿电压:20V

  漏源导通电阻(典型值)(10V):6.2mΩ

  封装:TO-220



  一般特征:

  vds=69V,ID=90A

  RDS(ON)<7.0mΩ@VGS=10V(Typ:5.7mΩ)

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS值高

  优异的散热包装

  特殊工艺,具有高ESD能力



  应用领域:

  电源开关的应用

  硬开关和高频电路

  不间断电源供应



  典型效率曲线:

普通高压MOS器件NCE6990更多参数请致电咨询!

型号/规格

NCE6990

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO220

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装