普通高压MOS器件NCE6990

　　产品型号：NCE6990

　　品牌：NCE新洁能

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：69V

　　连续漏极电流（最大）：90A

　　功率耗散（最大）：160W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：6.2mΩ

　　封装：TO-220

　　一般特征：

　　vds=69V,ID=90A

　　RDS(ON)<7.0mΩ@VGS=10V(Typ:5.7mΩ)

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS值高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用领域：

　　电源开关的应用

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源供应

　　典型效率曲线：

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