NCE9435A低压MOS

NCE9435A低压MOS

　　产品型号：NCE9435A

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：P沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：-30V

　　连续漏极电流（最大）：-5.3A

　　功率耗散（最大）：2.6W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：37mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：60mΩ

　　封装：SOP8

　　一般特征：

　　VDS=-30V,ID=-5.1A

　　RDS(ON)<90mΩ@vg=-4.5v

　　RDS(ON)<55mΩ@vg=-10v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　引脚图：

　　应用领域：

　　PWM应用

　　负荷开关

　　电源管理

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　排水唯一电压：-30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-5.1

　　漏极电流脉冲(注1)：-20

　　最大功耗：2.5W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　NCE9435A低压MOS更多参数请来电咨询！