常用mos管NCE6020L

常用mos管NCE6020L

　　NCE6020L采用先进的沟槽技术和设计提供优良的RDS(ON)与低门电荷。它可用于各种各样的应用。

　　产品型号：NCE6020L

　　制造商：NCE新洁能

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　Vds-漏源极击穿电压：60V

　　Id-连续漏极电流：20A

　　Pd-功率耗散：30W

　　Vgs-栅源极击穿电压：20V

　　RdsOn@10V-漏源导通电阻：37mΩ

　　封装：TO-251S

　　一般特征：

　　VDS=60V,ID=20A

　　RDS(ON)<44mΩ@vg=10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　电源管理

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明):

　　包装信息：