NCE60P06S半导体场效应晶体管

　　NCE60P06S采用了先进的沟槽技术和设计，提供了极好的低栅充电RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特点:

　　VDS=-60v,ID=6

　　RDS(ON)<50mΩ@vg=-10v

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　良好的散热包装

　　应用程序:

　　功率切换应用程序

　　硬开关和高频电路

　　直流-直流转换器

　　引脚封装：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：