场效应晶体管型号

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

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  产品型号:NCE2030K

  商品目录:MOS(场效应管)

  连续漏极电流(Id)(25°C时):30A

  漏源电压(Vdss):20V

  栅源极阈值电压:1.2V@250uA

  漏源导通电阻:13mΩ@20A,4.5V

  类型:N沟道

  最大功率耗散(Ta):40W



  一般特征:

  VDS=20v,ID=30a

  RDS(ON)<13mΩ@vg=10v(Typ:10.5m?)

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  优异的散热包装

  特殊工艺,具有高ESD能力



  应用程序:

  电源开关应用

  负荷开关

  不间断电源



  绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:20V

  栅源电压:±12V

  漏极电流连续:30

  漏极电流连续(TC=100℃):21

  脉冲漏极电流:75

  最大功耗:40W

  单脉冲雪崩能量(注5):150mJ

  操作结和存储温度范围:-55-175℃



  电气特性(TA=25℃,除非另有说明):

型号/规格

NCE2030K

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-252-2L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装