N通道MOS管型号NCE6005S

　　nce6005采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　VDS=60v,ID=4.5

　　RDS(ON)<45mΩ@vg=10v(Typ：38mΩ)

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　低栅排荷，降低开关损耗

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：60V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：4.5A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：3.0A

　　脉冲漏极电流：20A

　　最大功耗：2W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　电气特性(TA=25℃，除非另有说明):