驱动mos管

　　驱动mos管NCE3025G采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特点：

　　VDS=30v,ID=25

　　RDS(ON)<10mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<14mΩ@vg=4.5v

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　良好的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　SMPS和通用应用程序

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明):