n沟场效应管型号NCE40ND0812S

　　NCE40H20AD采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　n沟场效应管型号NCE40ND0812S一般特征：

　　vds=40V,ID=200A

　　rds(ON)<2.6mΩ@VGS=10V(类型：2.0m?)

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS值高

　　优异的散热包装

　　n沟场效应管型号NCE40ND0812S应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　n沟场效应管型号NCE40ND0812S封装：

　　漏源电压：40V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：200A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：140A

　　脉冲漏极电流：790A

　　最大功耗：285W

　　降额因子：1.9W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：2500mj

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　深圳市誉辉天成电子有限公司成立于2009年，位于素有“中国硅谷”之称的深圳市中心区华强北电子交易市场，这里是亚洲电子交易最繁荣的地带。公司不仅占据着良好的地理优势，作为业内专业化的电子元器件代理分销商，一直专注于IC电子产品的销售、推广及其它相关的配套服务，在电子业界已有数十年的从业经验。 公司创始人拥有广阔的人脉，并且整合了业内外各大代理的优势，为公司发展带来了良好的前景。

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