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NCE01P13采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用在各种各样的应用程序,它是ESD抗议道。
新洁能MOS管NCE01P13一般特点:
VDS=-100v,ID=-13
RDS(ON)<200mΩ@vg=-10v(Typ:170m?)
超高密度电池设计
先进的挖沟工艺
可靠和崎岖的
高密度单元设计,超低通电阻
新洁能MOS管NCE01P13应用程序:
电源开关
直流/直流转换器
绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):
漏源电压:-100v
栅源电压:±20v
漏电流连续:-13a
漏电流连续(TC=100℃):-9.2A
脉冲漏电流:-52A
单脉冲雪崩能量(注5):65兆焦耳
最大功耗:40w
降额因子:0.32W/℃
单脉冲雪崩能量(注5):110mJ
工作结和储存温度范围:-55~150℃
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主营各大品牌IC和二三极管,主要经销品牌TI/NS AD、ST/ON/NXP INFINEON、MAXIM IR/FSC/VISHAY、Panjit、ATMSEL STC/ISSI
NCE01P13
NCE
TO-220-3L
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装