NCE40P40D功率MOSFET

地区:广东 深圳
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  功率MOSFET是工程师们最常用的器件之一,小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的耐压、导通电阻等,不同的应用需求千变万化。

  NCE40P40D功率MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅电荷的优良RDS(ON),该设备非常适合于高电流负载的应用。



  NCE40P40D功率MOSFET一般特征:

  VDS=-40v,ID=-40

  RDS(ON)<14m?@vg=-10v

  高密度电池设计超低Rdson

  充分描述雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  良好的散热包装



  NCE40P40D功率MOSFET应用程序:

  功率切换应用程序

  硬开关和高频电路

  不间断电源



  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:-40v

  栅源电压:±20v

  漏电流连续:-40a

  漏电流连续(TC=100℃):(100℃)-25a

  脉冲漏电流:-50a

  最大功耗:80w

  降额因子:0.53W/℃

  单脉冲雪崩能量(注5):544mJ

  工作结和储存温度范围:-55~175℃



  电气特性(TC=25℃,除非另有说明):

型号/规格

NCE40P40D

品牌/商标

NCE(新洁能)

封装形式

TO-263-2L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装