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产品属性
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功率MOSFET是工程师们最常用的器件之一,小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的耐压、导通电阻等,不同的应用需求千变万化。
NCE40P40D功率MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅电荷的优良RDS(ON),该设备非常适合于高电流负载的应用。
NCE40P40D功率MOSFET一般特征:
VDS=-40v,ID=-40
RDS(ON)<14m?@vg=-10v
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好,均匀性好,EAS高
良好的散热包装
NCE40P40D功率MOSFET应用程序:
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):
漏源电压:-40v
栅源电压:±20v
漏电流连续:-40a
漏电流连续(TC=100℃):(100℃)-25a
脉冲漏电流:-50a
最大功耗:80w
降额因子:0.53W/℃
单脉冲雪崩能量(注5):544mJ
工作结和储存温度范围:-55~175℃
电气特性(TC=25℃,除非另有说明):
NCE40P40D
NCE(新洁能)
TO-263-2L
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装