NCE3415Y低压P沟道MOS

　　NCE3415Y采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低1.8v的栅电压操作。该装置适用于负载开关或PWM应用场合，对静电放电有一定的抑制作用。

　　一般特征：

　　VDS=-20V,ID=-4A

　　RDS(ON)<60mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<45mΩ@vg=-4.5v

　　ESD等级:2500VHBM

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　NCE3415Y低压P沟道MOS应用：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　NCE3415Y低压P沟道MOS封装：

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题