TO-252场效应管NCE2060K

　　NCE2060K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　VDS=20v,ID=60

　　RDS(ON)<6mΩ@vg=4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　负荷开关

　　开关硬，频率高

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：60A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：42A

　　脉冲漏极电流：210A

　　最大功耗：60W

　　降额因子：0.48W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：200mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　测试电路：