mos晶体管NCE3020Q

　　NCE3020Q采用了先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　vds=30V,ID=20A

　　RDS(ON)<9mΩ@VGS=10

　　RDS(ON)<15mΩ@VGS=4.5V

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，具有较高的AS值

　　良好的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　功率切换应用程序

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源

    绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30v

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：20A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：14.1A

　　脉冲漏极电流：80A

　　最大功耗：20W

　　降额因子：0.27W/℃

　　单脉冲雪崩能量：72mJ

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：