NCE2303沟槽型功率MOSFET

　　NCE2303沟槽型功率MOSFET一般特征：

　　VDS=-30V,ID=-2.0A

　　RDS(ON)<130mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<180mΩ@vg=-4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　NCE2303沟槽型功率MOSFET应用程序：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　电源管理

　　NCE2303沟槽型功率MOSFET封装：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-2.0A

　　漏极电流脉冲(注1)：-10A

　　最大功耗：1.0W

　　操作结和存储温度范围：-55至150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。