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MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强,因而通常被用于放大电路或开关 电路。
mos管NCE0160G采用了先进的沟槽技术和设计,提供了极好的低栅充电RDS(ON)。该装置适用于PWM、负载开关和一般应用场合。
一般特征:
VDS=100V,ID=60A
RDS(ON)<16mΩ@vg=12.6v
特别为转换器和功率控制而设计
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好,均匀性好,EAS高
良好的散热包装
应用程序:
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):
漏源电压:100V
栅源电压:±20V
漏极电流连续:60A
漏极电流连续(TC=70℃):50A
脉冲漏极电流:80A
最大功耗:105W
降额因子:0.70W/℃
单脉冲雪崩能量:550mJ
操作结和存储温度范围:-55~175℃
电气特性(TC=25,除非另有说明):
NCE0160G
NCE新洁能
DFN5X6-8L
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装