mos管参数NCE8804

　　NCE8804采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低1.8V的栅电压运行。该装置适用于负载开关或PWM应用场合，对静电放电有一定的抑制作用。

　　一般特征：

　　VDS=20V,ID=8A

　　RDS(ON)<19mΩ@VGS=2.5V

　　RDS(ON)<15mΩ@VGS=4.5V

　　ESD等级：2000VHBM

　　应用程序：

　　单向负载开关

　　双向负载开关

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：8A

　　漏极电流脉冲(注1)：30A

　　最大功耗：2W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　包装信息: