新洁能NCE40P40K

　　NCE40P40K采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。

　　新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

　　新洁能NCE40P40K一般特征

　　VDS=-40V,ID=-40A

　　RDS(ON)<14mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　新洁能NCE40P40K应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-40V

　　栅源电压：20V

　　漏极电流连续：-40

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-28

　　脉冲漏极电流：-160

　　最大功耗：80W

　　降额系数0.53W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：544mj

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　新洁能NCE40P40K包装信息：