功率MOS场效应晶体管NCE3420

地区:广东 深圳
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  NCE3420采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低栅电压运行lce3420采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低栅电压1.8V运行。该装置适用于单向或双向负载开关。低至1.8v,该装置适用于单向或双向负载开关。



  产品型号:NCE3420

  商品目录:MOS(场效应管)

  连续漏极电流(Id)(25°C时):6A

  漏源电压(Vdss):20V

  栅源极阈值电压:1V@250uA

  漏源导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

  类型:N沟道

  最大功率耗散(Ta):1.25W



  一般特征:

  VDS=20V,ID=6A

  RDS(ON)<35mΩ@vg=2.5v

  RDS(ON)<28mΩ@vg=4.5v

  高功率和电流处理能力

  获得无铅产品

  表面安装包



  应用:

  单向负载开关

  双向负载开关



  绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:20v

  栅源电压:±10v

  漏电流连续:6a

  漏电流脉冲(注1):30a

  最大功耗:1.25W

  工作结和储存温度范围:-55~150℃



  誉辉天成电子有限公司以TI为主线,ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线,所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业,合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业,亦有洲明科技及珠海太川等大客户。公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队,长期关注电子产业的最新动态与价格变化,与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系,与国内着名设计厂商达成合作,授权代理。同时快速响应新老客户需求,企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统,高效快速整合公司的资源,为客户带来星级服务。

型号/规格

NCE3420

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装