功率MOS场效应晶体管NCE3420

　　NCE3420采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低栅电压运行lce3420采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低栅电压1.8V运行。该装置适用于单向或双向负载开关。低至1.8v，该装置适用于单向或双向负载开关。

　　产品型号：NCE3420

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：6A

　　漏源电压（Vdss）：20V

　　栅源极阈值电压：1V@250uA

　　漏源导通电阻：28mΩ@5A,4.5V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：1.25W

　　一般特征：

　　VDS=20V,ID=6A

　　RDS(ON)<35mΩ@vg=2.5v

　　RDS(ON)<28mΩ@vg=4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用：

　　单向负载开关

　　双向负载开关

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20v

　　栅源电压：±10v

　　漏电流连续：6a

　　漏电流脉冲(注1)：30a

　　最大功耗：1.25W

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

　　誉辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队，长期关注电子产业的最新动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。