中高压大功率MOSFET

　　NCE6990采用了先进的沟槽技术和设计，提供了极好的rds(ON)与低闸门充电。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　vds=69V，ID=90A

　　RDS(ON)<7.0mΩ@VGS=10V(Typ：5.7Ω)

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，具有较高的AS值

　　良好的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　功率切换应用程序

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源

　　绝对最高额定值(TC=25，除非另有说明)：

　　漏源电压：69V

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：90a

　　漏电流连续(TC=100℃)：62A

　　脉冲漏电流：310A

　　最大功耗：160w

　　降额因子：1.1W/℃

　　单脉冲雪崩能量：450mJ

　　工作结和储存温度范围：-55~175℃

　　测试电路:

　　誉辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队，长期关注电子产业的最新动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。