NCE3025Q mos管选择

　　NCE3025Q采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　VDS=30v,ID=25

　　RDS(ON)<10mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<14mΩ@vg=4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　SMPS和通用应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：5a

　　漏电流连续(TC=100℃)：17a

　　脉冲漏电流：50a

　　最大功耗：25w

　　降额因子：0.2W/℃

　　单脉冲雪崩能量：70mJ

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

    电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：