单mos管

　　NCE75H11采用先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　vds=75V,ID=110A

　　rds(ON)<9mΩ@VGS=10V(类型：7.5mΩ)

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS值高

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：75V

　　栅源电压：±25V

　　漏极电流连续：110A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：78A

　　脉冲漏极电流：350A

　　最大功耗：210W

　　单mos管封装：