单mos管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

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  NCE75H11采用先进的沟槽技术和设计,以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。



  一般特征:

  vds=75V,ID=110A

  rds(ON)<9mΩ@VGS=10V(类型:7.5mΩ)

  特殊工艺,具有高ESD能力

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS值高

  优异的散热包装



  应用程序:

  电源开关应用

  硬开关高频电路

  不间断电源



  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:75V

  栅源电压:±25V

  漏极电流连续:110A

  漏极电流连续(TC=100℃):78A

  脉冲漏极电流:350A

  最大功耗:210W



  单mos管封装:

型号/规格

NCE75H11

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-220-3L top view

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装